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SAL-3000 ALD原子層沉積系統(tǒng)SAL3000是一款適用于研究型的ALD原子層沉積設(shè)備，該設(shè)備最多可搭載6路前驅(qū)體，適用于4英寸（φ100mm）以下基底材料的鍍膜。

PE-CVD解決方案與典型CVD反應(yīng)器相比，等離子體增強型化學(xué)氣相沉積(PE-CVD)提供了一種可使用更低溫度沉積各種薄膜的有效替代方案，同時不會降低薄膜質(zhì)量。高質(zhì)量的二氧化硅(SiO2)膜可以在300℃至350℃沉積，而CVD需要650℃至850℃的溫度生產(chǎn)類似質(zhì)量的鍍膜。PE-CVD使用電能產(chǎn)生輝光放電(等離子體)，其中能量轉(zhuǎn)移到氣體混合物中。

系統(tǒng)中的PECVD可以沉積高質(zhì)量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等。標(biāo)準(zhǔn)配置射頻(RF)，可選用空陰密度等離子體(HCD)源、感應(yīng)耦合等離子體（ICP）源。

PICOSUN擁有30多年在芬蘭ALD反應(yīng)器制造而得到的專業(yè)技術(shù)。Tuomo Suntola博士，于1974年發(fā)明了ALD技術(shù)，是PICOSUN董事會的成員。我們的技術(shù)官SVEN LINDFORS從1975年開始連續(xù)的設(shè)計ALD系統(tǒng)。綜合起來講，PICOSUN擁有了200多年的ALD經(jīng)驗并貢獻了100多項ALD。我們悠久的歷史和廣泛的背景使PICOSUN成為ALD技術(shù)優(yōu)質(zhì)的合作伙伴。技術(shù)參

NLD-3500（A）全自動原子層沉積系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供的薄膜性能。